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：·磷化铟(Indium Phosphide,InP)是典 型III-V族第二代化合物半导体材料，凭借 直接带隙光电特性、超高电子迁移率，广 泛应用于光通信、射频通信、卫星通信、 激光雷达、量子通信以及红外探测等战略 性产业。 在800G/1.6T光模块加速放量、AI算 力需求指数级增长的当下，InP突然成为 卡住光模块"咽喉"的关键。
